KLA P-17 探針式臺階儀

KLA P-17 探針式臺階儀產(chǎn)品介紹：

KLA P-17 探針式臺階儀是P系列探針式臺階儀的產(chǎn)品。該系統(tǒng)具備可編程掃描平臺、低噪聲電子分辨率，垂直范圍內(nèi)實現(xiàn)高分辨率掃描，能夠覆蓋樣品表面整個區(qū)域。

KLA P-17 探針式臺階儀的優(yōu)點包括200mm掃描平臺，可以在無需拼接的情況下測量整個基片。UltraLite傳感器組件結(jié)合了線性垂直測量和恒定力控制，可測量各種材料和地形。頂視圖和側(cè)視圖光學系統(tǒng)可實現(xiàn)簡單的位置教學、圖案識別，并在測量過程中對探針進行可視化。

KLA P-17 探針式臺階儀將自動化與可靠性相結(jié)合，適用于無需晶圓處理器的生產(chǎn)應用。這些應用包括用于半導體、功率器件、無線技術(shù)、LED和數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的AlTiC、GaAs、Si、SiC和藍寶石晶圓的臺階高度、粗糙度和應力測量。

KLA P-17 探針式臺階儀產(chǎn)品特點：

• 良好的重復性和重現(xiàn)性

• 不需要拼接，掃描長度可達200mm

• 直接、獨立于材料的測量

• 自動維護特征高度的應用程序。

• 模式識別支持自動測量，提高生產(chǎn)率。

• 支持用于自動排序、結(jié)果報告和配方

• 數(shù)據(jù)庫控制的SecS/GEM要求

KLA P-17 探針式臺階儀測量原理：

KLA P-17 探針式臺階儀采用了LVDC 傳感器技術(shù)，LVDC傳感器利用電容的變化跟蹤表面地形。電容變化是由在兩個電容板之間移動的薄金屬傳感器葉片的運動引起的。在探針跟蹤表面時，傳感器葉片的位置會發(fā)生變化，從而導致電容的變化，然后將電容變化轉(zhuǎn)換為地形信號。LVDC 設計的優(yōu)點是質(zhì)量小，葉片線性運動，從而將滯后和摩擦降到很低。這種設計能夠在整個垂直范圍內(nèi)進行精確、穩(wěn)定和高分辨率的測量 。

KLA P-17 探針式臺階儀主要應用：

KLA P-17 探針式臺階產(chǎn)品應用：

臺階高度

根據(jù)傳感器組合動態(tài)范圍，測量從納米到1mm的二維和三維臺階高度。量化在蝕刻、濺射、SIMS、沉積、自旋涂層、CMP和其他過程中沉積或除去的材料。

紋理：粗糙度和波紋度

測量二維和三維紋理，同時量化樣品的粗糙度和波紋度。利用軟件濾波器對粗糙度和波紋分量進行判別，并計算出均方根粗糙度等參數(shù)。

形式：弓和形狀

測量表面的2D形狀或弓，包括在器件制造過程中由于層應力失配而產(chǎn)生的晶圓弓，例如在半導體或復合半導體器件的生產(chǎn)中多層沉積。測量曲面結(jié)構(gòu)的高度和半徑，如透鏡。

薄膜應力

測量在具有多個工藝層的半導體或化合物半導體器件制造過程中引起的2D和3D應力。2D應力模式使用橫跨樣品直徑的單次掃描，而3D應力模式在2D掃描之間旋轉(zhuǎn)θ級以測量整個樣品表面。

缺陷檢測

測量缺陷的形貌，如劃痕的深度。從缺陷檢查工具導入KLARF位置坐標，以便自動導航到特定的缺陷。使用缺陷評審應用程序選擇用于2D或3D測量的單個缺陷。

KLA P-17 探針式臺階行業(yè)應用：

半導體和復合半導體

測量前端到后端和包裝過程的表面形貌。這些應用包括光致抗蝕劑厚度、蝕刻深度、濺射高度、CMP后形貌、粗糙度、樣品彎曲和應力的測量。使用模式識別和自動分析優(yōu)化測量精度，以完善生產(chǎn)過程控制。

LED和電源設備

測量圖案化工藝的臺階高度，包括MESA臺階高度、ITO臺階高度和接觸深度。測量可能導致裂紋和缺陷的襯底滾落、彎曲、外延粗糙度和外延薄膜應力。使用缺陷審查應用程序來區(qū)分滋擾或缺陷。

MEMS和光學電子

測量宏觀和微觀透鏡的臺階高度、曲率半徑和3D地形。測量波導和密集波分復用（DWDM）結(jié)構(gòu)的深度和表面粗糙度。

數(shù)據(jù)存儲

描述薄膜頭晶片和滑塊、硬盤、光學和磁性介質(zhì)的特性。晶片應用包括電鍍厚度、線圈高度和CMP平面度。滑塊應用包括極性凹陷分析、空氣軸承腔測量和激光紋理凸塊表征，包括凸塊高度、寬度和深度分析。

通用應用

使用KLA P-17 探針式表面輪廓儀進行生產(chǎn)或研發(fā)。例如，測量織物安全特性或與吸收性相關(guān)的粗糙度。生物醫(yī)學示例包括導管表面紋理、醫(yī)用支架的測量消費者電子應用包括觸摸屏地形測量或玻璃屏幕上薄膜臺階高度測量。

KLA P-17 探針式臺階儀測量圖：